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1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YDa/FBT8D
Repositóriosid.inpe.br/iris@1916/2005/03.31.13.35   (acesso restrito)
Última Atualização2005:08.10.03.00.00 (UTC) marciana
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1916/2005/03.31.13.35.09
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.28.20 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-12287-PRE/7609
ISSN0217-9849
Chave de CitaçãoGhazaliLima:1992:QuImSt
TítuloQuasi-One-Dimensional Impurity States in Ga1−Xalxas/Gaas Heterostructure
ProjetoMATCON: Física da matéria condensada
Ano1992
Data de Acesso18 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI
Número de Arquivos1
Tamanho260 KiB
2. Contextualização
Autor1 Ghazali, A.
2 Lima, Ivan C. da Cunha
Grupo1
2 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação1 Universités de Paris, Groupe de Physique des Solides
2 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)
RevistaModern Physics Letters B
Volume6
Número10
Páginas587-592
Histórico (UTC)2005-08-10 13:49:45 :: sergio -> administrator ::
2006-09-28 22:34:55 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:49:41 :: sergio -> marciana ::
2008-03-27 16:46:54 :: marciana -> administrator ::
2014-02-14 22:02:13 :: administrator -> marciana :: 1992
2014-08-19 16:54:54 :: marciana -> administrator :: 1992
2018-06-05 01:28:20 :: administrator -> marciana :: 1992
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
Palavras-ChaveSENSORS AND MATERIALS
Impurity
Semiconductors
SENSORES E MATERIAIS
Impureza
Semicondutores
ResumoThe advances in submicron lithography on semiconductor devices allow to produce very narrow inversion channels in which the electron gas behaves as quasi-one-dimensional. The presence of shallow donor impurities introduces bound states for electrons which have their binding energies depending on the impurity location in the plane perpendicular to the channel. In this paper we calculate these binding energies and plot the iso-energy curves for the dilute regime, assuming a confinement potential separable into a square well (caused by the barriers at the interfaces creating the quantum well) and an electrically induced harmonic potential in a direction perpendicular to the growth axis.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > Produção anterior à 2021 > LABAS > Quasi-One-Dimensional Impurity States...
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4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo AlvoQuasi-One-Dimensional.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
sergio
Grupo de Leitoresadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher allowfinaldraft
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
DivulgaçãoWEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX.
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
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